Sputter NanoPVD-S10A-WAIl nanoPVD-S10A-WA è la versione Wide-Area del nanoPVD-S10A, progettata per ampliare le capacità di rivestimento e consentire la deposizione uniforme su substrati di diametro fino a 8″, mantenendo un formato compatto da banco. Questo sistema avanzato supporta lo sputtering di magnetron RF e DC, permettendo la deposizione di metalli e materiali isolanti, ideale per applicazioni di deposizione fisica da vapore (PVD).
Settori
La configurazione Wide-Area utilizza le stesse camere della versione standard, con sorgenti di magnetron sputtering orientate verso l’alto per garantire un rivestimento diretto del substrato. La combinazione di rotazione del substrato e lastre di esposizione con orifizi appositamente progettati permette di ottenere una copertura uniforme, ideale per applicazioni in cui le specifiche di uniformità non sono critiche.
Come nel modello base, i magnetron sono raffreddati ad acqua per un funzionamento prolungato ad alta potenza e accettano obiettivi standard del settore. Il sistema mantiene tutte le caratteristiche della gamma nanoPVD, tra cui sistemi di pompaggio turbomolecolari, funzionamento automatizzato basato su ricette tramite HMI touchscreen e design compatti per l’installazione su banco. Con queste caratteristiche, il nanoPVD-S10A-WA rappresenta una soluzione versatile e potente per la deposizione su substrati di grandi dimensioni in un formato da banco.
- Configurazione specifica per l’applicazione per nanoPVD-S10A
- Rivestimento uniforme per substrati fino a 8” di diametro
- Sorgenti di magnetron sputtering raffreddate ad acqua per target da 2″ standard del settore
- Gas di processo controllati da MFC
- Alimentatori DC e/o RF
- Funzionamento completamente automatico tramite HMI touchscreen
- Definisci/salva più ricette di processo
- Pressioni di base <5 × 10-7 mbar
- Attrezzato per una facile manutenzione
- Funzioni di sicurezza complete
- Compatibile con camere bianche
- Prestazioni comprovate
- Pompa per prevuoto a secco
- Sfiato rapido della camera
- Controllo automatico della pressione ad alta risoluzione
- Gas di processo aggiuntivi
- Fino a 2 sorgenti di magnetron sputtering
- Alimentatori RF e/o DC
- Tecnologia di commutazione alimentazione/sorgente SputterSwitch
- Testa del sensore in cristallo di quarzo
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I substrati sono rivolti verso l’alto e posizionati su piastre superiori, situate centralmente all’interno di una camera ad alto vuoto in acciaio inossidabile, dotata di schermatura termica e di una finestra con shutter. Il riscaldamento è generato da una fonte di calore collocata sotto la piastra, che consente di raggiungere temperature fino a 1000 °C, a seconda della tecnologia di riscaldamento utilizzata.
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