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AnnealI sistemi ANNEAL di Emme3 offrono una soluzione di ricottura sottovuoto ad alta temperatura per substrati planari, ottimizzati per il trattamento termico di materiali 2D e wafer. Con una configurazione compatta da banco, questi sistemi permettono di raggiungere temperature fino a 1000 °C, garantendo un controllo preciso di gas e pressione per prestazioni eccellenti in atmosfere controllate.
I substrati sono rivolti verso l’alto e posizionati su piastre superiori, situate centralmente all’interno di una camera ad alto vuoto in acciaio inossidabile, dotata di schermatura termica e di una finestra con shutter. Il riscaldamento è generato da una fonte di calore collocata sotto la piastra, che consente di raggiungere temperature fino a 1000 °C, a seconda della tecnologia di riscaldamento utilizzata.
I sistemi ANNEAL offrono diverse tecnologie di riscaldamento, ciascuna adatta a specifiche esigenze termiche e ambientali:
- Lampada al quarzo: Un mezzo di riscaldamento economico per temperature del substrato fino a 600 °C, compatibile con la maggior parte delle atmosfere.
- Composito carbonio-carbonio (CCC): Perfetto per temperature fino a 1000 °C in atmosfere non compatibili con l’ossigeno.
- Grafite rivestita in SiC: Progettata per resistere a temperature elevate e garantire stabilità in atmosfere ricche di ossigeno.
I sistemi ANNEAL possono essere equipaggiati con un massimo di 3 controllori di flusso di massa (MFC) per gestire gas come Ar, O2 e N2, con flessibilità sulle portate. Tutti i sistemi dispongono di manometri ad ampio raggio, ma per una maggiore precisione sono disponibili anche manometri capacitivi. Nel caso in cui la pressione della camera sia critica, è disponibile il controllo automatico della pressione con risoluzioni di controllo fino a 0,1 mbar.
- Configurazione da banco
- Fino a 6 pollici di diametro del substrato
- Scelta di tecnologie di riscaldamento fino a 1000 °C
- Controllo gas e pressione
- Pressioni di base <5 × 10-7 mbar (con TMP)
- Facile accesso al campione
- Definisci/salva più ricette di processo
- Attrezzato per una facile manutenzione
- Funzioni di sicurezza complete
- Compatibile con camere bianche
- Stadi del substrato di diametro 4″/6″
- Lampada al quarzo riscaldante fino a 600 °C
- Elemento resistivo riscaldabile fino a 1000 °C
- MFC per l’introduzione di gas di processo
- Sistemi di pompaggio turbomolecolari/meccanici
- Controllo automatico della pressione
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