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Gatan F1-GIF System è una piattaforma avanzata per la spettroscopia di perdita di energia degli elettroni (EELS – Electron Energy Loss Spectroscopy) e l’imaging filtrato in energia (EFTEM – Energy-Filtered Transmission Electron Microscopy), progettata per ampliare le possibilità di analisi nella microscopia elettronica a trasmissione.
Sviluppato per rispondere alle esigenze della ricerca avanzata sui materiali, il sistema consente di ottenere informazioni dettagliate sulla composizione chimica e sulle proprietà strutturali dei campioni, combinando un’ampia copertura dello spettro energetico con un’elevata risoluzione spettrale.
Grazie alla piattaforma di rivelazione diretta di grande formato, il F1-GIF supporta analisi a tensioni di accelerazione comprese tra 30 e 300 kV, offrendo versatilità per differenti configurazioni TEM e applicazioni di ricerca.
La tecnologia di acquisizione frazionata della dose (dose fractionation) permette di raccogliere rapidamente più frame, sommare il segnale e correggere gli effetti della deriva, contribuendo a ridurre l’esposizione del campione al fascio elettronico. Una caratteristica particolarmente importante nello studio di materiali sensibili al fascio.
L’integrazione delle informazioni EELS con le tecniche 4D-STEM apre inoltre nuove possibilità di analisi multidimensionale, consentendo di correlare composizione, stato chimico, struttura cristallina, orientamento, deformazione e potenziale locale.
Ampia copertura energetica e alta risoluzione: acquisizione simultanea di un ampio intervallo energetico e di dettagli spettrali, senza dover scegliere tra copertura e precisione.
Analisi multielemento: identificazione di differenti elementi chimici attraverso la risoluzione di più edge nello spettro EELS.
Compatibilità con diverse tensioni di accelerazione: piattaforma progettata per operare da 30 a 300 kV.
Rivelazione diretta: tecnologia di acquisizione diretta per migliorare la raccolta del segnale.
Acquisizione a dose frazionata: acquisizione di frame rapidi, somma del segnale e correzione della deriva per limitare gli effetti dell'esposizione al fascio.
Integrazione con 4D-STEM: correlazione dei dati EELS con le informazioni ottenute mediante microscopia elettronica a scansione del fascio in quattro dimensioni.
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