NanoPVD-S10A

Tu sei qui:

DESCRIZIONE

Un sistema di sputtering magnetron da banco, RF e DC per metalli e materiali isolanti. Compatto come un dispositivo di rivestimento per microscopia elettronica, ma con hardware di fascia alta per risultati di livello di ricerca. 

Tecniche 

Deposizione fisica da vapore 

Il nanoPVD-S10A è un sistema di magnetron sputtering abbastanza compatto da poter essere collocato da banco, ma che può essere dotato di alimentatori DC e/o RF per la deposizione di metalli o materiali isolanti come ossidi o nitruri. 

I magnetron (ne possono essere montati fino a 3) sono raffreddati ad acqua, consentendo potenze elevate e un funzionamento prolungato e dimensionati per accettare obiettivi standard del settore. Le unità sono dotate di sistemi di pompaggio turbomolecolari per un funzionamento a bassa contaminazione. È possibile la codeposizione, così come lo sputtering reattivo tramite il modulo di controllo gas/pressione che può supportare fino a 3 gas di processo. 

L’accesso alla camera avviene tramite un coperchio incernierato, che si apre per rivelare uno stage adatto a contenere substrati fino a 4″ di diametro. 

Le unità sono facili da controllare tramite un’interfaccia HMI touchscreen, di semplice manutenzione, hanno bassi costi di esercizio e sono dotate di una gamma completa di funzioni di sicurezza. 

Caratteristiche principali 

  • Configurazione da banco 
  • Sorgenti di magnetron sputtering raffreddate ad acqua per target da 2″ standard del settore 
  • Gas di processo controllati da MFC 
  • Alimentatori DC e/o RF 
  • Funzionamento completamente automatico tramite HMI touchscreen 
  • Definisci/salva più ricette di processo 
  • Substrati fino a 4 pollici di diametro 
  • Pressioni di base <5 × 10-7 mbar 
  • Attrezzato per una facile manutenzione 
  • Funzioni di sicurezza complete 
  • Compatibile con camere bianche 
  • Prestazioni comprovate 

Opzioni 

  • Pompa per prevuoto a secco 
  • Sfiato rapido della camera 
  • Controllo automatico della pressione ad alta risoluzione 
  • Gas di processo aggiuntivi 
  • Fase di riscaldamento del substrato a 500 °C 
  • Rotazione del substrato, Z-shift e shutter 
  • Fino a 3 sorgenti di magnetron sputtering 
  • Alimentatori RF e/o DC 
  • Tecnologia di commutazione alimentazione/sorgente SputterSwitch 
  • Co-deposizione 
  • Testa del sensore in cristallo di quarzo